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Infineon Technologies
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TO-252AA (DPAK)
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AUIRLR3915TRL

Numéro de produit DigiKey
AUIRLR3915TRL-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
AUIRLR3915TRL
Description
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 30 A (Tc) 120W (Tc) Montage en surface
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
HEXFET®
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
14mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
92 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1870 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
120W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
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