Name: BSO080P03SHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSO080P03SHXUMA1TR-ND
Price: 2.532 EUR
Availability: InStock

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BSO080P03SHXUMA1
Numéro de produit DigiKey	BSO080P03SHXUMA1TR-ND - Bande et bobine BSO080P03SHXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSO080P03SHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSO080P03SHXUMA1
Description	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 12,6 A (Ta) 1,79W (Ta) Montage en surface PG-DSO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSO080P03SHXUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8mohms à 14,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5890 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,79W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-DSO-8
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	BSO080