BSP129E6327T Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

BSP129E6327T est en fin de série et n'est plus distribué par DigiKey.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSP129E6327T
Numéro de produit DigiKey	BSP129XTINTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSP129E6327T
Description	MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Référence client
Description détaillée	Canal N, mode de déplétion 240 V 350mA (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface PG-SOT223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N, mode de déplétion
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	240 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	350mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	0V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6ohms à 350mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 108µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	5.7 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	108 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA

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En fin de cycle

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Tous les prix sont en EUR

Bande et bobine