BSP321PH6327XTSA1 Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

BSP321PH6327XTSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : 0,76000 €

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BSP321PH6327XTSA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSP321PH6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSP321PH6327XTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSP321PH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSP321PH6327XTSA1
Description	MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 980mA (Tc) 1,8W (Ta) Montage en surface PG-SOT223-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	SIPMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	980mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	900mohms à 980mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 380µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	319 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223-4
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	BSP321