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Infineon Technologies
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Fiche technique

Équivalent paramétrique


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,25000 €
Fiche technique
BSXXXXXXXXXXXXXA1
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BSS119NH6433XTMA1

Numéro de produit DigiKey
BSS119NH6433XTMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSS119NH6433XTMA1
Description
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface PG-SOT23-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6ohms à 190mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 13µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
20.9 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-SOT23-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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