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BSS192PH6327FTSA1
Infineon Technologies
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Fiche technique
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PG-SOT89
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PG-SOT89
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

BSS192PH6327XTSA1

Numéro de produit DigiKey
BSS192PH6327XTSA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
BSS192PH6327XTSA1
Description
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Référence client
Description détaillée
Canal P 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Montage en surface PG-SOT89
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
SIPMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
190mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12ohms à 190mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 130µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
6.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
104 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-SOT89
Boîtier
TO-243AA
Numéro de produit de base
BSS192
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