Name: BSS806NEH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSS806NEH6327XTSA1TR-ND
Price: 0.3 EUR
Availability: InStock

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BSS806NEH6327XTSA1
Numéro de produit DigiKey	BSS806NEH6327XTSA1TR-ND - Bande et bobine BSS806NEH6327XTSA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSS806NEH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSS806NEH6327XTSA1
Description	MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 2,3 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface PG-SOT23
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSS806NEH6327XTSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 2,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	57mohms à 2,3A, 2,5V
Vgs(th) (max.) à Id	750mV à 11µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.7 nC @ 2.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	529 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	BSS806