Name: BSZ011NE2LS5IATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND
Price: 1.836 EUR
Availability: OutOfStock

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BSZ011NE2LS5IATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-BSZ011NE2LS5IATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-BSZ011NE2LS5IATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-BSZ011NE2LS5IATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ011NE2LS5IATMA1
Description	MOSFET N-CH 25V 35A/40A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 35A (Ta), 40A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-34
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ011NE2LS5IATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Ta), 40A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,1mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3400 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 69W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-34
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	BSZ011

Prix unitaire sans TVA:	1,53000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,83600 €

BSZ011NE2LS5IATMA1