
BSZ0901NSIATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | BSZ0901NSIATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ0901NSIATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ0901NSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BSZ0901NSIATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 18 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 25 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-FL |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | BSZ0901NSIATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 2,1mohms à 20A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 41 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 2600 pF @ 15 V | |
Fonction FET | Diode Schottky (substrat) | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,1W (Ta), 69W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TSDSON-8-FL | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,48000 € | 1,48 € |
10 | 0,93800 € | 9,38 € |
100 | 0,62900 € | 62,90 € |
500 | 0,49620 € | 248,10 € |
1 000 | 0,45347 € | 453,47 € |
2 000 | 0,44884 € | 897,68 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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5 000 | 0,36730 € | 1 836,50 € |
10 000 | 0,36670 € | 3 667,00 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,48000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,77600 € |