Name: BSZ100N03MSGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ100N03MSGATMA1TR-ND
Price: 0.324 EUR
Availability: OutOfStock

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BSZ100N03MSGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ100N03MSGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ100N03MSGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ100N03MSGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ100N03MSGATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 10A/40A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 10 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 30W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	9,1mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSZ100

Prix unitaire sans TVA:	0,27000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,32400 €

BSZ100N03MSGATMA1