Name: BSZ180P03NS3EGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND
Price: 0.684 EUR
Availability: OutOfStock

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BSZ180P03NS3EGATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ180P03NS3EGATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ180P03NS3EGATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ180P03NS3EGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ180P03NS3EGATMA1
Description	MOSFET P-CH 30V 9A/39.5A TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 9 A (Ta), 39,5 A (Tc) 2,1W (Ta), 40W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ180P03NS3EGATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta), 39,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,1V à 48µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2220 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSZ180