Name: FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Price: 168.06 EUR
Availability: OutOfStock

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FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Numéro de produit DigiKey	448-FF6MR12W2M1HPB11BPSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	FF6MR12W2M1HPB11BPSA1
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	10 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 200A (Tj) Montage sur châssis Module
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,63mohms à 200A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	5,55V à 80mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	496nC à 15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14700pF à 800V
Puissance - Max.	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	Module

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Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	140,05000 €	140,05 €
18	126,68222 €	2 280,28 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.