Name: IAUC120N06S5N017ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR-ND
Price: 2.712 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUC120N06S5N017ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUC120N06S5N017ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUC120N06S5N017ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUC120N06S5N017ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUC120N06S5N017ATMA1
Description	MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 120 A (Tj) 167W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-43
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUC120N06S5N017ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,4V à 94µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	95.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6952 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-43
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IAUC120