Name: IAUCN04S7L019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S7L019ATMA1TR-ND
Price: 0.948 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUCN04S7L019ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN04S7L019ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN04S7L019ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN04S7L019ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN04S7L019ATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V Montage en surface PG-TDSON-8-33
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	-
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	-
Vgs(th) (max.) à Id	-
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max.)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-33
Boîtier	8-PowerTDFN