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Équivalent paramétrique

IDH10G65C5XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IDH10G65C5ZXKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IDW10G65C5FKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IDW10G65C5XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 3,94000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IDW20G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 7,08000 €
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BSDH10G65E2
Bourns Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 3,47000 €
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Rohm Semiconductor
En stock: 0
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SICR10650
SMC Diode Solutions
En stock: 0
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STPSC6H065D
STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,30000 €
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DSC10065
Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 3,27540 €
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Équivalent paramétrique

PCDP1065G1_T0_00001
Panjit International Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 4,42000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

S3D10065A
SMC Diode Solutions
En stock: 0
Prix unitaire : 1,48000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

S3D10065D1
SMC Diode Solutions
En stock: 0
Prix unitaire : 2,35000 €
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Équivalent paramétrique

UJ3D06510TS
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 3,87000 €
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Équivalent paramétrique

UJ3D06520KSD
onsemi
En stock: 0
Prix unitaire : 7,91000 €
Fiche technique
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TO-220-2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IDH10G65C5XKSA2

Numéro de produit DigiKey
448-IDH10G65C5XKSA2-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDH10G65C5XKSA2
Description
DIODE SIL CARB 650V 10A PGTO2201
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
15 semaines
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 10A Trou traversant PG-TO220-2-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
10A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 10 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
180 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
300pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-1
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDH10G65
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
13,82000 €3,82 €
501,96660 €98,33 €
1001,78670 €178,67 €
5001,47152 €735,76 €
1 0001,37029 €1 370,29 €
2 0001,34545 €2 690,90 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:3,82000 €
Prix unitaire avec TVA:4,58400 €