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IDH12SG60CXKSA2
Infineon Technologies
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Fiche technique
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TO-220-2
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IDH12SG60CXKSA1

Numéro de produit DigiKey
IDH12SG60CXKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDH12SG60CXKSA1
Description
DIODE SIL CARB 600V 12A PGTO2202
Référence client
Description détaillée
Diode 600 V 12A Trou traversant PG-TO220-2-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
600 V
Courant - Moyen redressé (Io)
12A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
2.1 V @ 12 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
100 µA @ 600 V
Capacité à Vr, F
310pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-220-2
Boîtier fournisseur
PG-TO220-2-2
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDH12
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