Name: IDT10S60C
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2156-IDT10S60C-ND
Price: 4.05108 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IDT10S60C
Numéro de produit DigiKey	2156-IDT10S60C-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IDT10S60C
Description	DIODE SIL CARB 600V 10A PGTO2202
Référence client
Description détaillée	Diode 600 V 10A (CC) Trou traversant PG-TO220-2-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	thinQ!™
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	600 V
Courant - Moyen redressé (Io)	10A (CC)
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 10 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	140 µA @ 600 V
Capacité à Vr, F	480pF à 1V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-220-2
Boîtier fournisseur	PG-TO220-2-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C