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Direct

IDW16G65C5XKSA1
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 4,90000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique

IDW32G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 10,12000 €
Fiche technique
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IHW15N120R3FKSA1
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IDW16G65C5FKSA1

Numéro de produit DigiKey
IDW16G65C5FKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IDW16G65C5FKSA1
Description
DIODE SIC 650V 16A PGTO24731
Référence client
Description détaillée
Diode 650 V 16A Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolSiC™+
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Technologies
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)
650 V
Courant - Moyen redressé (Io)
16A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If
1.7 V @ 16 A
Vitesse
Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)
0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr
600 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F
470pF à 1V, 1MHz
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
TO-247-3
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-1
Température de fonctionnement - Jonction
-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base
IDW16G65
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