Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 6.06 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IMBF170R650M1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBF170R650M1XTMA1
Description	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 7,4 A (Tc) 88W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-13
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBF170R650M1XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	12V, 15V
Rds On (max.) à Id, Vgs	650mohms à 1,5A, 15V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 1,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8 nC @ 12 V
Vgs (max.)	+20V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	422 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	88W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-7-13
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	IMBF170