Name: IMBG40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND
Price: 16.188 EUR
Availability: OutOfStock

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IMBG40R011M2HXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBG40R011M2HXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBG40R011M2HXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBG40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBG40R011M2HXTMA1
Description	SIC-MOS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 400 V 13,4A (Ta), 133A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBG40R011M2HXTMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	400 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13,4A (Ta), 133A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14,4mohms à 37,1A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 13,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	85 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3770 pF @ 200 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 429W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-7-11
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA

Prix unitaire sans TVA:	13,49000 €
Prix unitaire avec TVA:	16,18800 €

IMBG40R011M2HXTMA1