
IMT65R010M2HXUMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMT65R010M2HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMT65R010M2HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMT65R010M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMT65R010M2HXUMA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 168 A (Tc) 681W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 15V, 20V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 9,1mohms à 92,1A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5,6V à 18,7mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 113 nC @ 18 V | |
Vgs (max.) | +23V, -7V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4001 pF @ 400 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 681W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-HSOF-8-2 | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 18,84000 € | 18,84 € |
10 | 13,56800 € | 135,68 € |
100 | 13,36620 € | 1 336,62 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 000 | 10,92009 € | 21 840,18 € |
Prix unitaire sans TVA: | 18,84000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 22,60800 € |