
IMT65R022M1HXUMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | 448-IMT65R022M1HXUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMT65R022M1HXUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMT65R022M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IMT65R022M1HXUMA1 |
Description | SILICON CARBIDE MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | 650 V Montage en surface PG-HSOF-8-2 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IMT65R022M1HXUMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | - | |
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 650 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | - | |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 18V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | - | |
Vgs(th) (max.) à Id | - | |
Vgs (max.) | - | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | - | |
Température de fonctionnement | - | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-HSOF-8-2 | |
Boîtier |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 12,69000 € | 12,69 € |
10 | 8,93200 € | 89,32 € |
100 | 8,04910 € | 804,91 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 000 | 6,81002 € | 13 620,04 € |
Prix unitaire sans TVA: | 12,69000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 15,22800 € |