Name: IMW120R014M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R014M1HXKSA1-ND
Price: 28.296 EUR
Availability: OutOfStock

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IMZA120R014M1HXKSA1

Infineon Technologies

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Fiche technique

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IMW120R014M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW120R014M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW120R014M1HXKSA1
Description	SIC DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 127A (Tc) 455W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW120R014M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	127A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18,4mohms à 54,3A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,2V à 23,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	145 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+20V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4580 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	455W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3
Boîtier	TO-247-3

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	23,58000 €	23,58 €
30	15,27333 €	458,20 €
120	15,07258 €	1 808,71 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.