Name: IMW65R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND
Price: 12.732 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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IMW65R026M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW65R026M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW65R026M2HXKSA1
Description	IMW65R026M2HXKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 64 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-40
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW65R026M2HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	64 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 34,5A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1499 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	227W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-40
Boîtier	TO-247-3

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	10,61000 €	10,61 €
30	7,09433 €	212,83 €
120	6,57125 €	788,55 €
510	6,54312 €	3 336,99 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.