Name: IMW65R048M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Price: 9.468 EUR
Availability: OutOfStock

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IMW65R048M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW65R048M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW65R048M1HXKSA1
Description	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 39 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW65R048M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSIC™ M1
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	39 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	64mohms à 20,1A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1118 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-3-41
Boîtier	TO-247-3
Numéro de produit de base	IMW65R048

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,89000 €	7,89 €
30	4,58233 €	137,47 €
120	3,93433 €	472,12 €
510	3,67898 €	1 876,28 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.