Name: IMZA65R040M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R040M2HXKSA1-ND
Price: 9.492 EUR
Availability: OutOfStock

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IMZA65R040M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA65R040M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA65R040M2HXKSA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 46 A (Tc) 172W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™ Gen 2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	46 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	36mohms à 22,9A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,6V à 4,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	997 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	172W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-8
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	IMZA65R040

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,91000 €	7,91 €
30	4,65367 €	139,61 €
120	3,94075 €	472,89 €
510	3,68608 €	1 879,90 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.