Name: IPA65R1K0CEXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA65R1K0CEXKSA1-ND
Price: 1.536 EUR
Availability: OutOfStock

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IPA65R1K0CEXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPA65R1K0CEXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPA65R1K0CEXKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 7,2 A (Tc) 68W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPA65R1K0CEXKSA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	328 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	68W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-FP
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	IPA65R1

Prix unitaire sans TVA:	1,28000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,53600 €

IPA65R1K0CEXKSA1