Name: IPAW60R280P7SE8228XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPAW60R280P7SE8228XKSA1-ND
Price: 0.63912 EUR
Availability: OutOfStock

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IPA60R280P7SXKSA1

Infineon Technologies

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Fiche technique

Équivalent paramétrique

IPA60R280P7SE8228XKSA1

Rochester Electronics, LLC

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Équivalent paramétrique

IPAW60R280P7SXKSA1

Rochester Electronics, LLC

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Fiche technique

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IPAW60R280P7SE8228XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPAW60R280P7SE8228XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPAW60R280P7SE8228XKSA1
Description	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 12 A (Tc) 24W (Tc) Trou traversant PG-TO220-FP

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P7
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	280mohms à 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 190µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	761 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	24W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-FP
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	IPAW60

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
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