IPB031NE7N3GATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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PG-TO263-3-2
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IPB031NE7N3GATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB031NE7N3GATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPB031NE7N3GATMA1
Description
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 100 A (Tc) 214W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,1mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,8V à 155µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
8130 pF @ 37.5 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3-2
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.