PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB091N06N G

Numéro de produit DigiKey
IPB091N06NG-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPB091N06N G
Description
MOSFET N-CHAN D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 80 A (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
8,8mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 130µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
81 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2800 pF @ 30 V
Fonction FET
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB091N
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