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PG-TO263-3
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PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB60R199CPAATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPB60R199CPAATMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPB60R199CPAATMA1
Description
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
199mohms à 9,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 1,1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1520 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
139W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO263-3
Boîtier
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB60R199
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0001,51989 €1 519,89 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:1,51989 €
Prix unitaire avec TVA:1,82387 €