Name: IPB65R065C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R065C7ATMA2TR-ND
Price: 6.492 EUR
Availability: InStock

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IPB65R065C7ATMA2
Numéro de produit DigiKey	IPB65R065C7ATMA2TR-ND - Bande et bobine IPB65R065C7ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) IPB65R065C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB65R065C7ATMA2
Description	MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 33 A (Tc) 171W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ C7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	33 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 17,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3020 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	171W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB65R065

Prix unitaire sans TVA:	5,41000 €
Prix unitaire avec TVA:	6,49200 €

IPB65R065C7ATMA2