Name: IPC100N04S5L1R9ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC100N04S5L1R9ATMA1TR-ND
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPC100N04S5L1R9ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPC100N04S5L1R9ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPC100N04S5L1R9ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPC100N04S5L1R9ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPC100N04S5L1R9ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 100 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-34
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPC100N04S5L1R9ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,9mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4310 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-34
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IPC100