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Substituts disponibles:

Direct


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 0,54000 €
Fiche technique

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STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 0,00000 €
Fiche technique
TO252-3
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IPD090N03LGBTMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD090N03LGBTMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD090N03LGBTMA1
Description
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 40 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
9mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1600 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
42W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,21565 €539,12 €
5 0000,19845 €992,25 €
7 5000,18969 €1 422,67 €
12 5000,17984 €2 248,00 €
17 5000,17863 €3 126,03 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,21565 €
Prix unitaire avec TVA:0,25878 €