Name: IPD19DP10NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD19DP10NMATMA1TR-ND
Price: 1.692 EUR
Availability: InStock

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IPD19DP10NMATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD19DP10NMATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD19DP10NMATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD19DP10NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD19DP10NMATMA1
Description	TRENCH >=100V PG-TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 2,6A (Ta), 13,7A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD19DP10NMATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,6A (Ta), 13,7A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	186mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 1,04mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2000 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD19D