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Infineon Technologies
En stock: 0
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Fiche technique

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En stock: 128
Prix unitaire : 0,89000 €
Fiche technique
PG-TO252-3
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PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD50R500CEATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD50R500CEATMA1TR-ND - Bande et bobine
IPD50R500CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
IPD50R500CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD50R500CEATMA1
Description
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 7,6 A (Tc) 57W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
13V
Rds On (max.) à Id, Vgs
500mohms à 2,3A, 13V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
18.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
433 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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