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PG-TO252-3
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PG-TO252-3
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IPD50R650CEBTMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD50R650CEBTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPD50R650CEBTMA1
Description
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 6,1 A (Tc) 47W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™ CE
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
13V
Rds On (max.) à Id, Vgs
650mohms à 1,8A, 13V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
342 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
47W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IPD50R
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