IPD65R1K4CFDATMA1 Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

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IPD65R1K4CFDATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD65R1K4CFDATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD65R1K4CFDATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 2,8 A (Tc) 28,4W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,4ohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	262 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	28,4W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD65R1