


IPD80R1K0CEATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R1K0CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 5,7 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R1K0CEATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 950mohms à 3,6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,9V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 785 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 83W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TO252-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 1,43000 € | 1,43 € |
10 | 1,08700 € | 10,87 € |
100 | 0,74660 € | 74,66 € |
500 | 0,59316 € | 296,58 € |
1 000 | 0,55784 € | 557,84 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,50864 € | 1 271,60 € |
5 000 | 0,45575 € | 2 278,75 € |
Prix unitaire sans TVA: | 1,43000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,71600 € |