
IPD80R2K4P7ATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPD80R2K4P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R2K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R2K4P7ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 2,5 A (Tc) 22W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R2K4P7ATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 800 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 2,4ohms à 800mA, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 40µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 7.5 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 150 pF @ 500 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 22W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-TO252-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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1 | 0,85000 € | 0,85 € |
10 | 0,63200 € | 6,32 € |
100 | 0,42240 € | 42,24 € |
500 | 0,33710 € | 168,55 € |
1 000 | 0,30598 € | 305,98 € |
Quantité | Prix unitaire | Prix total |
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2 500 | 0,25856 € | 646,40 € |
5 000 | 0,24390 € | 1 219,50 € |
7 500 | 0,23832 € | 1 787,40 € |
12 500 | 0,23447 € | 2 930,88 € |
Prix unitaire sans TVA: | 0,85000 € |
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Prix unitaire avec TVA: | 1,02000 € |