Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 1.872 EUR
Availability: OutOfStock

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IPD80R2K7C3AATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD80R2K7C3AATMA1
Description	MOSFET N-CH TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD80R2K7C3AATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,7ohms à 1,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,9V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	290 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	42W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD80R2