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PG-TO252-3-11
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IPD90N04S3H4ATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD90N04S3H4ATMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPD90N04S3H4ATMA1
Description
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 90 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
90 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,3mohms à 90A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 65µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3900 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
115W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IPD90
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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,81913 €2 047,83 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,81913 €
Prix unitaire avec TVA:0,98296 €

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