Name: IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1TR-ND
Price: 11.076 EUR
Availability: OutOfStock

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IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPDQ65R029CFD7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPDQ65R029CFD7AXTMA1
Description	AUTOMOTIVE_COOLMOS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 85 A (Tc) 463W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	85 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	29mohms à 35,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,79mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	139 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7149 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	463W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Boîtier	Module 22-PowerBSOP