Name: IPN60R600P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN60R600P7SATMA1TR-ND
Price: 0.972 EUR
Availability: OutOfStock

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IPN60R600P7SATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPN60R600P7SATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN60R600P7SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN60R600P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPN60R600P7SATMA1
Description	MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 6 A (Tc) 7W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPN60R600P7SATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	600mohms à 1,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 80µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	363 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	7W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IPN60R600