Name: IPP028N08N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP028N08N3GXKSA1-ND
Price: 5.796 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP028N08N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP028N08N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP028N08N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 100 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14200 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP028

Prix unitaire sans TVA:	4,83000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,79600 €

IPP028N08N3GXKSA1