Name: IPP072N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP072N10N3GXKSA1-ND
Price: 2.664 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP072N10N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP072N10N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP072N10N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 80 A (Tc) 150W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,2mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 90µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4910 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 155°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP072

Prix unitaire sans TVA:	2,22000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,66400 €

IPP072N10N3GXKSA1