Name: IPP114N12N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP114N12N3GXKSA1-ND
Price: 2.748 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP114N12N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP114N12N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP114N12N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 75 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	75 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,4mohms à 75A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 83µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4310 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP114

Prix unitaire sans TVA:	2,29000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,74800 €

IPP114N12N3GXKSA1