Name: IPP60R099P6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP60R099P6XKSA1-ND
Price: 5.136 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP60R099P6XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP60R099P6XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP60R099P6XKSA1
Description	MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 37,9 A (Tc) 278W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P6
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	37,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	99mohms à 14,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,21mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3330 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	278W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP60R099

Prix unitaire sans TVA:	4,28000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,13600 €

IPP60R099P6XKSA1