IPSA70R1K2P7SAKMA1 Infineon | Transistors - FET, MOSFET - Simples

IPSA70R1K2P7SAKMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPSA70R1K2P7SAKMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPSA70R1K2P7SAKMA1
Description	MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 4,5 A (Tc) 25W (Tc) Trou traversant PG-TO251-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPSA70R1K2P7SAKMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P7
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2ohms à 900mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 40µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.8 nC @ 400 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	174 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO251-3
Boîtier	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Numéro de produit de base	IPSA70