Name: IPT017N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 6.228 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT017N12NM6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT017N12NM6ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT017N12NM6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT017N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT017N12NM6ATMA1
Description	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 120 V 29A (Ta), 331A (Tc) 3W (Ta), 395W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	29A (Ta), 331A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 150A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 275µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	141 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11000 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 395W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8
Boîtier	8-PowerSFN
Numéro de produit de base	IPT017